hubungi kita
Javanese
English Chinese Simplified French German Portuguese Spanish Russian Japanese Korean Arabic Irish Greek Turkish Italian Danish Romanian Indonesian Czech Afrikaans Swedish Polish Basque Catalan Esperanto Hindi Lao Albanian Amharic Armenian Azerbaijani Belarusian Bengali Bosnian Bulgarian Cebuano Chichewa Corsican Croatian Dutch Estonian Filipino Finnish Frisian Galician Georgian Gujarati Haitian Hausa Hawaiian Hebrew Hmong Hungarian Icelandic Igbo Javanese Kannada Kazakh Khmer Kurdish Kyrgyz Latin Latvian Lithuanian Luxembou.. Macedonian Malagasy Malay Malayalam Maltese Maori Marathi Mongolian Burmese Nepali Norwegian Pashto Persian Punjabi Serbian Sesotho Sinhala Slovak Slovenian Somali Samoan Scots Gaelic Shona Sindhi Sundanese Swahili Tajik Tamil Telugu Thai Ukrainian Urdu Uzbek Vietnamese Welsh Xhosa Yiddish Yoruba Zulu Kinyarwanda Tatar Oriya Turkmen
Leave Your Message

Pusat Kawruh

Ningkatake Adhesion Tembaga Tanpa Elektronik ing Substrat PTFE liwat Perawatan Plasma Dingin

Ningkatake Adhesion Tembaga Tanpa Elektronik ing Substrat PTFE liwat Perawatan Plasma Dingin

2025-04-05
1. PTFE lumahing Tantangan PTFE kang kurang energi lumahing (18-24 mN/m) lan kimia inertness mimpin kanggo: Lemah adhesion: Lack saka gugus fungsi kanggo ikatan kimia; Wettability miskin: Sudut kontak> 110 °; CTE ora cocog: PTFE (100&nd...
ndeleng rincian
Ngresiki Rasio Aspek Dhuwur Liwat-Bolongan Nggunakake Cairan CO₂ Superkritis

Ngresiki Rasio Aspek Dhuwur Liwat-Bolongan Nggunakake Cairan CO₂ Superkritis

2025-04-02
1. Properties lan Kaluwihan Supercritical CO₂ Supercritical CO₂ (scCO₂) nggabungake difusivitas kaya gas (≈10⁻⁷ m²/s) lan daya larut kaya cairan (parameter kelarutan≈0.5–2.5 (kal/cm³) ¹/s) ing ndhuwure.
ndeleng rincian
Ndandani Cacat Lapisan Tembaga PCB liwat Teknologi Cold Spray

Ndandani Cacat Lapisan Tembaga PCB liwat Teknologi Cold Spray

2025-04-01
1. Prinsip lan Kaluwihan saka Cold Spray Cold Spray minangka proses deposisi solid-state ing ngendi bubuk logam (contone, Cu) dicepetake kanthi gas tekanan dhuwur (N₂ / He) nganti kecepatan supersonik (300-1200 m / s), mbentuk lapisan sing padhet liwat deformasi plastik ...
ndeleng rincian
Ngilangi Sisa Microbubble ing Papan Multilayer liwat Proses Laminasi Vakum

Ngilangi Sisa Microbubble ing Papan Multilayer liwat Proses Laminasi Vakum

31-03-2025
1. Panyebab lan Dampak saka MicrobubblesMicrobubbles (1-50 μm voids) kawangun dening gas kepepet nalika laminasi degrade: Kinerja listrik: Tambah mundhut dielektrik (contone, +0,005 tanδ ing 10 GHz); Kekuatan mekanik: 30-50% abang...
ndeleng rincian
Ngilangi Efek Tulang Asu ing Rasio Aspek Ultra-dhuwur (>20:1) Electroplating liwat bolongan

Ngilangi Efek Tulang Asu ing Rasio Aspek Ultra-dhuwur (>20:1) Electroplating liwat bolongan

30-03-2025
Efek asu-balung nuduhake kedadean ngendi kekandelan plating ing liwat ngleboke lan metu Ngartekno luwih saka wilayah tengah sak dhuwur-aspek rasio liwat-bolongan electroplating. Iki muncul saka transfer massa elektrolit sing winates lan ...
ndeleng rincian
Ngilangi Formasi Void Kirkendall ing Sambungan Solder SAC305 (Sn-Ag-Cu)

Ngilangi Formasi Void Kirkendall ing Sambungan Solder SAC305 (Sn-Ag-Cu)

2025-03-29
Kekosongan Kirkendall, sing disebabake dening tingkat difusi atom diferensial, nyuda keandalan sendi solder kanthi kritis. Strategi kunci kanggo nyuda pembentukan ing SAC305 (Sn-3.0Ag-0.5Cu) kalebu: 1. Optimasi Komposisi Paduan Unsur paduan: ...
ndeleng rincian
Manufaktur Resistor Tertanam Presisi Tinggi liwat Teknologi Pencetakan Jet Aerosol

Manufaktur Resistor Tertanam Presisi Tinggi liwat Teknologi Pencetakan Jet Aerosol

2025-03-28
1. Prinsip lan Kaluwihan saka Aerosol Jet PrintingAerosol Jet Printing (AJP) nyetop tinta fungsional minangka aerosol skala mikron (1–5 μm) nggunakake fokus gas sheath, ngidini: Resolusi dhuwur: 10 μm linewidth kanthi ± 2 μm ac...
ndeleng rincian
Entuk Interkoneksi Vertikal ing Paket 2.5D/3D liwat Teknologi Through-Silicon Via (TSV)

Entuk Interkoneksi Vertikal ing Paket 2.5D/3D liwat Teknologi Through-Silicon Via (TSV)

2025-03-25
1. TSV Fundamentals lan 2.5D / 3D ArchitecturesThrough-Silicon Via (TSV) mbisakake interconnects vertikal liwat substrat silikon, kritis kanggo chip numpuk (3D) utawa integrasi basis interposer (2.5D). Kauntungan utama kalebu: Interkoneksi sing luwih cendhek: TSV...
ndeleng rincian
Ngrancang Tumpukan Lapisan Asimetris kanggo Papan Interkoneksi Kapadhetan Dhuwur

Ngrancang Tumpukan Lapisan Asimetris kanggo Papan Interkoneksi Kapadhetan Dhuwur

2025-03-24
1. Definisi lan Tujuan Tumpukan Asimetris Tumpukan lapisan asimetris ngoptimalake integritas sinyal, manajemen termal, lan kekuatan mekanik kanthi macem-macem kekandelan materi, jinis tembaga (contone, RCF, LP), lan konstanta dielektrik (Dk). Tujuan utama kalebu ...
ndeleng rincian
Manajemen Situs Produksi SMT

Manajemen Situs Produksi SMT

2025-03-23
I. Apa Situs Situs kasebut kalebu rong unsur: "现" (wektu saiki) lan "场" (lokasi). "现" nandheske temporalitas, nuduhake wektu saiki. "场" nandheske regionality, nuduhake panggonan fisik. Gabungan: Situs kasebut minangka ...
ndeleng rincian
PisananPrev12345SabanjurePungkasanTotal 14