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ニュース

フェムト秒レーザーアブレーションによる熱影響部（HAZ）ゼロの銅箔パターン形成を実現

フェムト秒レーザーアブレーションによる熱影響部（HAZ）ゼロの銅箔パターン形成を実現

2025年4月7日
1. フェムト秒レーザーアブレーションの原理と利点 フェムト秒レーザー (パルス幅 10⁻¹⁵ s) は、以下の理由により、ほぼゼロの HAZ で非線形吸収 (多光子イオン化、アバランシェイオン化など) を可能にします。 非熱的優位性: エネルギーの付与...
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冷プラズマ処理によるPTFE基板上の無電解銅の接着強化

冷プラズマ処理によるPTFE基板上の無電解銅の接着強化

2025年4月5日
1. PTFE 表面の課題 PTFE は表面エネルギーが低く (18～24 mN/m)、化学的に不活性であるため、次のような問題が生じます。 接着力が弱い: 化学結合のための官能基が不足しています。 濡れ性が悪い: 接触角が 110° を超えています。 CTE が一致しません: PTFE (100～24 mN/m)。
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超臨界CO₂流体を用いた高アスペクト比スルーホールの洗浄

超臨界CO₂流体を用いた高アスペクト比スルーホールの洗浄

2025年4月2日
1. 超臨界 CO₂ の特性と利点 超臨界 CO₂ (scCO₂) は、臨界温度を超えると気体のような拡散率 (≈10⁻⁷ m²/s) と液体のような溶媒和力 (溶解度パラメーター≈0.5～2.5 (cal/cm³)¹/²) を兼ね備えます。
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コールドスプレー技術によるPCB銅層欠陥の修復

コールドスプレー技術によるPCB銅層欠陥の修復

2025年4月1日
1. コールドスプレーの原理と利点 コールドスプレーは、金属粉末（Cuなど）を高圧ガス（N₂/He）で超音速（300～1200 m/s）まで加速し、塑性変形によって高密度のコーティングを形成する固体堆積プロセスです。
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真空ラミネート加工による多層基板のマイクロバブル残留物の除去

真空ラミネート加工による多層基板のマイクロバブル残留物の除去

2025年3月31日
1. マイクロバブルの原因と影響ラミネーション中に閉じ込められたガスによって形成されるマイクロバブル（1～50 μm の空隙）により、次のような劣化が発生します。電気的性能：誘電損失の増加（例：10 GHz で tanδ +0.005）機械的強度：赤外光の 30～50% の低下...
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超高アスペクト比（>20:1）スルーホール電気めっきにおけるドッグボーン効果の抑制

超高アスペクト比（>20:1）スルーホール電気めっきにおけるドッグボーン効果の抑制

2025年3月30日
ドッグボーン効果とは、高アスペクト比スルーホール電気めっきにおいて、ビア入口と出口のめっき厚が中央部よりも著しく厚くなる現象を指します。これは、電解液の物質移動が制限され、ビアの中央部へのめっき膜厚が不均一なために発生します。
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SAC305（Sn-Ag-Cu）はんだ接合部におけるカーケンドールボイド形成の抑制

SAC305（Sn-Ag-Cu）はんだ接合部におけるカーケンドールボイド形成の抑制

2025年3月29日
原子拡散速度の差によって生じるカーケンダルボイドは、はんだ接合部の信頼性を著しく低下させます。SAC305（Sn-3.0Ag-0.5Cu）におけるカーケンダルボイドの発生を抑制するための重要な戦略は次のとおりです。1. 合金組成の最適化 微量合金元素：…
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エアロゾルジェット印刷技術による高精度埋め込み抵抗器の製造

エアロゾルジェット印刷技術による高精度埋め込み抵抗器の製造

2025年3月28日
1. エアロゾル ジェット プリンティングの原理と利点エアロゾル ジェット プリンティング (AJP) は、シース ガス フォーカスを使用して機能性インクをミクロン スケールのエアロゾル (1～5 μm) として塗布し、次のことを実現します。高解像度: 10 μm の線幅で ±2 μm の配置精度...
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シリコン貫通ビア（TSV）技術による2.5D/3Dパッケージの垂直相互接続の実現

シリコン貫通ビア（TSV）技術による2.5D/3Dパッケージの垂直相互接続の実現

2025年3月25日
1. TSVの基礎と2.5D/3Dアーキテクチャシリコン貫通ビア（TSV）は、チップスタッキング（3D）またはインターポーザベースの統合（2.5D）に不可欠な、シリコン基板を貫通する垂直配線を可能にします。主な利点は次のとおりです。配線長の短縮：TSVは…
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高密度相互接続基板向け非対称層スタックアップの設計

高密度相互接続基板向け非対称層スタックアップの設計

2025年3月24日
1. 非対称スタックアップの定義と目的非対称レイヤースタックアップは、材料の厚さ、銅の種類（RCF、LPなど）、誘電率（Dk）を変化させることで、シグナルインテグリティ、熱管理、および機械的強度を最適化します。主な目標は次のとおりです...
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