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Necessità di Pulizia di Plasma Prima di Laminazione Multilayer Board

2025-04-09

Pulizia di plasma.png

1. Background & Core Issues

In a fabricazione di PCB multistrati, a laminazione unisce nuclei interni, prepreg è foglia di rame sottu calore / pressione. Contaminanti (olii, ossidi, polveri) nantu à a superficia prima di laminazione causanu:

  • Adesione interfacciale debule: Cunduce à delamination o blistering;

  • Integrità di signale degradata: I vuoti aumentanu a perdita dielettrica (Df) è a riflessione di u signale;

  • Affidabilità termo-meccanica ridotta: A discordanza CTE cuncentra u stress, accelerà u fallimentu di fatigue.


2. Meccanismi di Pulizia di Plasma

A pulizia di plasma usa gas ionizatu (O₂, N₂, Ar) per generà spezie reattive (elettroni, ioni, radicali) per:

  • Pulizia fisica:

    • Elimina i nanoparticuli (

    • Grava a superficia per aumentà a rugosità (Ra = 0,5-2 μm).

  • Modificazione chimica:

    • Oxidizes organics (per esempiu, O₂ plasma decompose olii in CO₂/H₂O);

    • Introduce gruppi polari (-OH, -COOH), aumentendu l'energia di a superficia (20-30→50-70 mN/m).

  • Attivazione di a superficia:

    • Aumenta a bagnabilità di a resina per un megliu flussu di prepreg.


3. Analisi di necessità

(1) Bonding Interfacial Enhanced

  • Dati: A forza di peel aumenta da 0,5 kN/m à 1,2-1,5 kN/m (IPC-TM-650 2.4.8);

  • Riduzzione di fallimentu: U risicu di delaminazione scende da 80% (analisi di sezione trasversale SEM).

(2) Rendimentu Dielectric Improved

  • Void cuntrollu: Post-pulizia spazii vuoti

  • Riduzzione di perdita di signale: A perdita di inserzione diminuisce da 0,2–0,3 dB/cm @10 GHz.

(3) Stabilità di u prucessu

  • Uniformità: Copre strutture cumplesse (vias cecu, tracce fini);

  • Eco-conformità: Sustituisce i chimichi duri (H₂SO₄/H₂O₂), riducendu VOC/effluent.


4. Parametri di prucessu chjave

  • Selezzione di gas:

    • O₂: Eliminazione organica efficace, ma pò ossidarà eccessivamente u cobre;

    • Mélange Ar/N₂: Incisione fisica per materiali sensibili;

    • H₂: Riduce l'ossidi minori.

  • Forza è tempu:

    • Potenza RF: 300-1000 W (dipendente da a camera);

    • Durata: 30-180 sec (equilibriu trà pulizia è danni).

  • Livellu di vacuum:

    • Pressione di basa


5. Cost-Benefit & Validation Industry

  • Comparazione di i costi:

    Metudu CapEx OpEx Efficienza
    Pulizia di plasma Altu Medium Altu
    Pulizia chimica Bassu Altu Medium
    Ultrasonic Medium Medium Bassu
  • Norme:

    • IPC-6012 richiede forza interfaccia ≥0.8 kN/m;

    • L'automobile (AEC-Q200) è l'aerospaziale (NASA-STD-8739) prescrivonu u pretrattamentu di a superficia.


6. Sfide & Soluzioni

  • Sfida 1: Over-oxidation di cobre:

    • Soluzione: Ar / H₂ mix (4: 1) suppresses oxidation;

  • Sfida 2: Uniformità di u grande pannellu:

    • Soluzione: Array multi-elettrodi o sistemi trasportati;

  • Sfida 3: Carica statica:

    • Soluzione: Ionizers neutralizan i carichi per impediscenu l'aderenza di a polvera.