Trattamentu Laser Femtosecondu per Micro-Drilling Zona Affettata da Calore Zero
1. Fundamentals è Vantaghji
I laser femtosecondi (larghezza di impulsi 10-15s) permettenu l'assorbimentu non lineare attraversu:
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Ionizzazione multi-fotoni (MPI)
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Avalanche ionisation (AI)
Beneficii chjave: -
HAZ quasi zero
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Précision sub-micron (min. trous 1μm)
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Adatta per materiali riflettenti / trasparenti
2. Meccanismi Zero-HAZ
2.1 Cuntrolla di trasferimentu di energia
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Non-equilibriu di l'elettroni-lattice
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Dominazione di l'esplosione di fasi
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Suppressione di scherma di plasma
2.2 Modelli di rimozione di materiale
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L'esplosione di Coulomb
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Rottura di legame non termica
3. Critical Process Parameters
Parametru | Gamma | Meccanismu |
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Lunghezza d'onda | 343-1030 nm | Aumento di l'assorbimentu |
Energia di pulse | 0,1-50μJ | U cuntrollu di u sogliu di l'ablazione |
Tasso di ripetizione | 10kHz-10MHz | Evite l'accumulazione di calore |
Focusing | NA> 0,7 | Riduzzione di dimensione spot |
Scanning | Strada spirale | Minimizazione di strati di riformulazione |
4. Casi Applicazioni
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Microvias PCB à alta frequenza:
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20-50 μm di diamitru
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Rapportu d'aspettu 10: 1
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Ra
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Perforazione TSV di vetru:
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Crack / senza taper
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100 buchi / sec
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Trattamentu di circuitu flessibile:
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Sustrati PI senza carbonizazione
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5 μm min. larghezza di linea
5. Sfide & Soluzioni
Sfida 1: Inestabilità materiale riflettente
Soluzione: lunghezza d'onda sintonizzabile (343 + 515 nm)
Sfida 2: Efficienza bassa in u bulu prufondu
Soluzione: formatura di fasciu Bessel
Sfida 3: Cuerenza di a produzzione di massa
Soluzione: Monitoramentu di plasma in tempu reale + cuntrollu adattativu
6. I metudi di carattarizazione
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Micro-CT: morfologia 3D
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Spettroscopia Raman: analisi di fase
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TEM: Integrità di u reticulatu
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Test di Conductibilità: Qualità di Muru