变容二极管

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变容二极管
制造商	包裹	工作温度

串联电阻（Rs）	反向电压（Vr）	电容比

二极管电容	反向漏电流（Ir）

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变容二极管（Variable Capacitance Diode）是一种利用反向偏压来改变PN结电容特性，从而实现电容可调的特殊半导体器件。

定义和特征

定义：变容二极管是一种通过改变反向偏压来调整其结电容的半导体二极管。它等效于一个可变电容器，其两电极之间的PN结电容随反向电压的增大而减小。

特征：变容二极管的反向偏压与结电容呈非线性关系。当反向电压增大时，耗尽层变宽，导致电容减小；反之，当反向电压减小时，耗尽层变窄，电容增大。

应用领域

自动频率控制（AFC）：变容二极管广泛应用于自动频率控制电路中，通过调整振荡器的电容来改变振荡器的频率，从而与接收信号的频率保持一致。

扫描振荡：在扫描振荡电路中，变容二极管可以产生频率随时间变化的信号，用于雷达、超声波等设备中的扫描功能。

频率调制和调谐：变容二极管还用于调频电路和调谐电路中。例如彩色电视机的电子调谐器，通过控制直流电压来改变变容二极管的结电容，以选择不同频道的谐振频率。

包装形式

变容二极管有多种封装形式，可满足不同的应用需求

玻璃封装：中小功率变容二极管常采用玻璃外壳封装，具有良好的密封性和稳定性。

塑料封装：一些变容二极管也采用塑料封装，以降低成本和重量。

金封：对于功率较大的变容二极管，常采用金属外壳进行封装，以提高散热性和可靠性。

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